霍尔效应测试仪（HEM）
可用于一般半导体材料的霍尔系数、电阻率、电子迁移率、载流子浓度的常温测量，是研究半导体和电子材料的电子特性的重要工具。
技术参数
产品特点
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项目 | 技术参数 |
标准样品 | Si,SiC,ZnO,CaN,ITO等半导体薄膜(P,N型) |
磁场强度 | 0.6T |
温度范围 | RT |
磁场稳定性 | ±1%/年 |
输出电流 | 100nA~500mA |
迁移率 | 2-10c㎡/V*sec |
电阻率 | 10-5-10Ωcm |
载流子浓度 | 108-102/cm3 |
样品测量尺寸 | 10*10mm~20*20mm,厚度10nm~2mm |
测试标准 | AsTm F76-1985 |
1、高精度电流源，输出精度可达0.1微安，可测量大部分半导体材料。
2、高精度电压源，24位ADC采集，精度可达微伏级。
3、可靠的重复性，软硬件设计多重滤波，使测量数据更稳定，确保每个实验数均为多次测试好的平均值。
4、简约大气的外观设计，仪器连接操作简单，完成样品信息设置后，用户可一键点击测试， 即可同时得到电阻率、载流子浓度、霍尔系数与方阻数据。
5、测试速度快，支持快速切换电流与磁场方向，通过范德堡法进行数据处理。
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